Trivision
- 多目的電気的欠陥解析
- 三次元欠陥特定には使用しやすいエミッションとレーザースキャン顕微鏡検査システムが必要です。
TriVisionは業界最右翼の感度を誇る欠陥、故障位置検出が可能な総合電気欠陥解析システムです。
TriVisionは、コスト効率が良く将来の技術の進歩にあわせて機能の拡張が容易な機器を求めている最先端デバイス開発者に
大変喜ばれている機器です。
- 技術面だけでなく、現在のマーケットの競争に勝つための短納期の要求に応えるためにも欠陥解析は
複雑になっているばかりでなく、要求が厳しくなる一方の作業です 。
最初の高度なチップデザインバリデーションから重要顧客のリターンに迅速に対応することまで、TriVision電気問題解析システムは
お客様がマーケットに迅速に出荷し、採算性の目標を達成するのにお役に立てます。
- ＜Trivision ７つの特徴＞
- ①このクラスで最高性能の統合欠陥解析システム
- ②パッケージ部品と表面ウェーファー／ダイ解析を行え、使い方が容易
- ③シリコンを通した解析の場合でも極めて高い三次元分解能
- ④ スタティック及びダイナミックフォトンエミッションアプリケーション向け高感度、低ノイズSWIR InGaAsカメラオプション
- ⑤外部からの液体窒素供給が不要なIRイメージング機能用熱電子InGaAsカメラ
- ⑥熱エミッションとフォトンエミッションの切り分けが容易になる特許取得済みの熱ノイズ抑制機能付きカスタムMCTカメラ
- ⑦各種カメラ／センサー・レンズの組み合わせで現場でのさまざまな機能拡張が可能
- 必要に応じて構成を変更
- TriVisionの独創的な3ポート光学コラムにより
高解像度CDDカメラ、同焦点レーザースキャンマイクロスコープ（LSM）と必要なIRカメラの組み合わせなど、
用途に応じたさまざまなセンサーの組み合わせが可能になります。
- レンズオプションの多様性(最終光学系)により表面検査、裏面検査などの
アプリケーション向けに設定可能です。パッケージ、ウェーファー、ダイレベルの解析、スタティック・ダイナミックな診断機能など
性能、機能、コストの最適化がはかれます。
- 高感度短波長赤外線（SWIR）InGaAsカメラと高絞り （NA）で収差を無くした光学系を組み合わせて最適化し、
これにより0.9から1.6マイクロミリの波長エリアでのシリコンを通したフォトン検出が可能になりました。
この低ノイズ、高感度構造により、比類なきシグナルノイズ比を保ったエミッション検出が可能となり、
動作電圧１ボルト以下のデバイスに対してさえもshort-integration欠陥検出が可能となりました。
- フォトンと熱エミッション
- 熱エミッション（TE）と赤外線サーモグラフィ（IRT）
- 第三世代のカスタムMCT（HgCdTe）を使って
TriVisionは熱アプリケーション向けに設定することも出来ます。
- hot-carrier冷光(エレクトロンホール recombination)と熱エミッションを識別できるよう設計されたMCTカメラは通常のフォトン
エミッション（PE）の周波数範囲を超え、0.8 から2.15マイクロメートルの範囲の三次元位置を認識できる機能があります。
最も重要なことは、カメラには特許取得済みの熱ノイズ抑制機能があり1.6 マイクロメートル以上でシグナルノイズ比が非常に大きく高い
PE感度と熱欠陥部分の特定機能を確実にしています。
- オプション
- 高解像度、高コントラスト、同焦点レーザースキャンマイクロスコープ（LSM）オプションはショートと抵抗欠陥についての
障害をカバーして今までのエミッション顕微鏡検査を完璧に補完し、TriVisionを総合スタティック・ダイナミック欠陥解析ツールに
することが出来ます。
- 外部からの液体窒素供給が不要なIRイメージング機能用TE冷却InGaAsカメラが容易されています。
- NIRフォトンエミッションと熱エミッションの両方に対して良好な感度を必要とする開発者向けのカスタムHgCdTe(MCT)カメラが
用意されています。
- ※TriVisionはオプションとして200/300mmウェーファー用プローブと基板検査を組み合わせた形でも
ご提供できます。
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