OptiFIB-IV
- 光学顕微鏡と収束イオンビーム
顕微鏡の同軸コラムを装備した
表面/裏面回路修正システム - 45-nmチップの回路修正は非常に難しい技術です。OptiFIB-IVの集束イオンビーム機器は 45-nm以下のチップの回路修正ツールとして実績を重ねてきました。 優れた回路修正機能と抜群の処理量・比類なき修正成功率などで 開発製品のマーケットへの投入を早め､またイールドの向上にも貢献してきました。
- 配線層の増加､銅配線､サイズの微細化､low-K絶縁膜､Silicon on Insulator(SOI)､平面保護膜､ フリップチップパッケージなど､ すべてのものが最新の回路修正機能を必要としています。OptiFIBは最下層のメタルレイヤーに 裏面の厚いシリコン層からアクセスし､ 回路の各層に直接正確な修正を行うことが出来ます。 高価なマスク改版を行う前に設計変更の正しさを確認する事は重要であり､ それを実現する為には 高い回路修正成功率が必要不可欠です。
- ＜OptiFIB-IV 10の特徴＞
- ①保護膜とシリコンを透過して観察する同軸フォトンイメージング(米国特許 7,297,948)
- ②パッケージ部品と表面ウェーファー／ダイ解析を行え、使い方が容易
- ③ ピコアンペア以下のビーム電流による画像取得と終点検出
- ④裏面のトレンチングと回路修正
- ⑤PC上で稼動するFUSIONコントロールソフトウエア
- ⑥FIB Assist?機能が統合
- ⑦ ブルx,y,zマイクロジェット
- ⑧加工用途に合わせ､十種類の化学薬品をサポートするシステム
- ⑨レーザー干渉計ステージ
- ⑩CMPナビゲーター：CADのオーバーレイ機能と精密イオンビーム偏向機能を組み合わせたナビゲーション機能 (米国特許 5,401,972)
- イメージングへのユニークな
アプローチ - OptiFIBのユニークな同軸コラムにより光学像の観察とFIB加工が同時に行え ､ 修正の様子がリアルタイムに確認できます。イオンビームとフォトン光学系が同軸になっているため､シリコンや絶縁体を透過して見ること ができます。その機能により､FIB像とCADレイアウトを正確に位置合わせして表示する事ができ ､この特許機能により他のFIBシステムに 比較してすばやく回路修正を行うことが可能です。回路修正にかかる時間は他のシステムと比較して25%から75％程度です
- フォトン光学系は配線層・活性領域をシリコンを通して 見ることが可能で (フォトンはSOIを通した非破壊イメージングが可能です)、画像をリアルタイムに見ながら正確に位置決めを 行えます。
- FIBミリングと画像イメージングが同時に行えることで､ 他の追従を許さない精度で 回路修正が可能です。これにより､デバイスの裏面から問題のノードに直接アクセスし､ イオンビームでデバイスのイメージを取得するのに 必要な時間を減らすことが出来ます。 デバイスをイオンビームにさらす時間が短くてすむことで回路修正の成功率も向上します。 OptiFIBは イオンビームを照射せずにデバイスをナビゲーションできるので､壊れ易い回路をイオンビームに晒すことが少なくなります。
- FIB像・光学像・CADイメージ､全てが回路修正を行っている間､互いの観察位置は常に同じ状態で 表示されています。 >光学像を観察する為にデバイスを外したり､FIBと別のイメージシステムの間でデバイスをやり取りする必要はありません。 OptiFIBはデバイスを動かすことなく全ての操作を行えます。回路修正は､FIB・光学系・CAD画面､どれを使っても実施できます。
- 業界最高の銅配線加工用ガスアシストオプション：CU2
- OptiFIBを使えば銅配線の修正もルーチン作業になります。
- 精巧かつ実績のある修正方式により､銅の結晶方位に依存する不均一な加工に対して､勘に頼った作業を 無くすことが可能です。 OptiFIBだけが回路修正作業で信頼できるエッチングガスを使用しています。 回路修正中､きれいに切断できることでデバイス修正作業の成功率も高まります。
- SiO2とlow-K絶縁膜上の銅パターン修正用の当社のユニークな化学溶液は､最も複雑で難しい修正にも信頼性の 高い結果を出します。 銅エッチング用溶剤はエッチングの行き過ぎを最低限にし､low-K絶縁膜のエッチ深さを 20nm以下に保てます。
- オーバーエッチングを避けることでOptiFIB-IVは修正を成功させるための詳細な手順を実行することを可能に しています。 OptiFIB-IVは現在使われているものよりエッチング速度が4~5倍速い次世代銅エッチング溶液CU2を 使用しています。
- 比類なき精度
- アスペクトレイシオ 25：1 にも及ぶ修正はOptiFIBの得意分野です。
- OptiFIBはイオンビームを10nmの精度で当てることができ､将来の技術ポイントに対応できる十分な余裕が あります。
- 一般に「トレンチング」と呼ばれるシリコンを大量に除去する作業は裏面修正作業では重要なプロセスです。
- これは目的の加工場所に近づき､配線変更が必要な配線層に到達するためにイオンビームでシリコン基板に大面積の穴を掘ることです。 OptiFIB-IVは独特な光学系を使用し光学干渉縞を検出することで穴の底面の平面度情報を得ることができます。
- 仕事の終了
- 高感度の終点検出ツールは材料の変化を読み取り､イオンミリングを終了。
- 特許申請中の材料コントラスト/電圧コントラスト（MC/VC）とシャロートレンチアイソレーション（STI）の 位置決め技術により､OptiFIB-IVは45nm技術レベルが要求する以上の 10nmの精度で位置を決められます。
- PC上で稼動するFUSIONシステムコントロールソフトウエアには､ Fibics Incorporatedから取得したFIB Assist™技術が組み込こまれています。 FUSIONは､FIBと光学系の高解像度画面と 各種リアルタイムイメージプロセスツールを駆使して可視化を更に進めます。 FIB Assistには､回路修正の速度と精度を高め､それを追尾し､ レビューする各種機能が揃っています。
- オプション
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- 二列の化学薬品噴出マイクロジェット
- 手動ジョイスティックとノブのパネル
- レーザー干渉計を組み込んだ高精度ステージ
- ロードロック
- 大型化学薬品マニフォールド
- 300mmウェーファー処理システム
- 300mmウエハー
- 大きなウェーファーを修正するのは標準の集束イオンビーム機器にとっては大変な作業です。OptiFIB-IVの300mmウエハー用設備は､ 大型のチャンバー・ロードロック・最新の静電気ウエハーチャックなどを備え､ ウエハーの全ての部分にアクセスできるよう全域をx､ｙ方向に 移動できます。
