2009 LSIテスティングシンポジウム
開催概要
DCG Systems, Inc. (本社:アメリカ・CA/フリーモント)は、半導体製品の設計デバッグ/
欠陥解析/歩留まり改善の為にソリューションを提供する、不良解析装置メーカです。
2009年1月より、日本のお客様からの要望を製品やサービスに直接反映出来る様、日本法人DCGシステムズ
株式会社を新横浜に設立いたしました。
また、更なる技術革新や製品開発・サービス向上に向け、先日新横浜で開催いたしましたユーザフォーラムに続き、
2009LSIテスティングシンポジウム (2009/11/11-13)に参加致しました。
お忙しい中、弊社ブースにたくさんのお客様にお立ち寄りいただき、誠にありがとうございました。
- プログラム・講演内容
- ＜開催日時 ： 11月12日（木）＞
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- Section: 「コマーシャルセッション」
- 11:02〜11:10 (C5) ： 「Meridian-IVレーザー・ボルテージ・プロービングオプションのご紹介」
- 要約： DCG社のエミッション顕微鏡Meridianは、業界最高感度のInGaAsカメラを搭載し、動作不良の
要因を物理的に絞り込む為、 先端プロセスの設計製造を行うメーカーをを中心に利用されております。
近年の微細化/低電圧化に伴い、故障要因を絞り込むのは、 電気的にも物理的にも非常に困難な中、その新たな 技術的要求を充たせるよう、長年培ったLVP（Laser Voltage Probing）技術をエミッション顕微鏡に 組み込む為に、 CW-LVP(Continuous Wave-Laser Voltage Probing)オプションを開発いたしました。
- Section: 「先進のICレベルデバッグと診断：ツール応用・回路編集」
- 11:34〜11:42 (C9) ： 次世代の回路修正装置
- 要約： 20年以上に渡り、FIBはIC回路の回路修正に利用され現在は広く浸透しています。 1990年代 中盤から、フリップチップパッケージが先端のMPUに利用され始め、裏面のシリコン側からFIBで回路修正する 必要性が生まれました。DCGは2001年にOptiFIBを市場に送り出し、半導体デバイスの進化、 特に先端材料と 構造の微細化に対しての様々な要求に応えるべく装置の開発を行ってきました。継続しているOptiFIBの最新 モデルは、 現在32ｎｍのプロセス技術に対応しておりますが、現在は22nmそして15nmプロセス技術に対応 出来る装置開発が市場から 要求されております。
- 17:15〜17:35 (32) ： 拡散層を利用した裏面回路修正FIBの評価
- 要約： 回路修正FIB は半導体デバイスの設計検証段階で発覚した問題に対し、 レチクル改版前の動作 検証する手法の１つとして用いられてきました。しかし、半導体デバイスはデザインルールの微細化及び多層 配線により回路規模が飛躍し、超高集積密度化を果たし ました。その為、配線層からの回路修正FIB のみならず、 シリコン基板面からの回路修正FIBの手法も導入されました。高集積密度化により配線のみで 回路修正FIBを 行うことが複雑となり、その為シリコン基板面からの回路修正FIBではシリサイド層を使用した 複雑な作業が要求されはじめています。今回 は、裏面回路修正FIB を拡散層へ施し、その有効性を 考察いたします。
- 17:35〜17:55 (33) ： 裏面FIB回路修正技術を用いたTr特性評価
- 要約： FIBを用いた回路修正は、従来配線層のあるチップ表面側から行われてきました。 しかしながら、 近年の多層配線化、微細化に進展に伴い、チップ表面からの回路修正がますます困難になっております。 さらに、 フリップチップ実装などチップ表面からのアクセスが事実上不可能な構造のLSI製品も増加しています。 チップ表面側からの回路修正が困難という課題に対応するため、近年、チップ裏面からの回路修正技術が 注目されています。
※ご質問・お問い合わせは、メール 又はお電話ください。
DCGシステムズ ソリューション部 茂木 忍 <TEL : 045-478-7005>
